GETTING MY N TYPE GE TO WORK

≤ 0.15) is epitaxially grown over a SOI substrate. A thinner layer of Si is grown on this SiGe layer, then the construction is cycled via oxidizing and annealing stages. Due to the preferential oxidation of Si around Ge [68], the original Si1–Nghiên cứu của FDA đưa ra kết luận rằng germani, khi sử đụng như là chất bổ sun